简介概要

GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期

论文作者：卜俊鹏白玉柯尹玉华郑红军

关键词：研磨片; 化学腐蚀方法; 晶片均匀性;

摘要：采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片.

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卜俊鹏¹，白玉柯¹，尹玉华¹，郑红军¹

(1.中国科学院半导体研究所,北京,100083)

摘要:采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片.

关键词:研磨片; 化学腐蚀方法; 晶片均匀性;

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