Pt掺杂SnO2花状纳米结构的合成及其气敏性能的研究
来源期刊：功能材料2011年第1期
论文作者：刘程 刘颖 谢玉涛 王辉 叶金文 文晓刚
文章页码：139 - 143
关键词：Pt掺杂;SnO2;共沉淀法;纳米花;气敏性能;
摘 要：用原位掺杂法制备了Pt/SnO2花状纳米结构。通过控制反应源物中n（Pt4+）/n（Sn4+）比率,可以获得不同Pt掺杂量的复合纳米结构。采用SEM、XRD、TEM和Raman光谱对样品的形貌、结构等进行了分析,并测试了材料的NH3气体敏感性能。结果表明,Pt掺杂的SnO2纳米花大小约为2μm,由平均直径为180nm,长度约为500nm的纳米棒组成;掺杂后SnO2的拉曼振动峰有了较大的偏移,并出现了新峰148cm-1,这可能与Pt掺杂造成的晶格畸变有关;由Pt/SnO2纳米材料制得的气敏元件在300℃时对2.00×10-4的NH3的灵敏度可达80。
刘程1，刘颖1，谢玉涛2，王辉1，叶金文1，文晓刚1
1. 四川大学材料科学与工程学院2. 香港科技大学化学系
摘 要：用原位掺杂法制备了Pt/SnO2花状纳米结构。通过控制反应源物中n（Pt4+）/n（Sn4+）比率,可以获得不同Pt掺杂量的复合纳米结构。采用SEM、XRD、TEM和Raman光谱对样品的形貌、结构等进行了分析,并测试了材料的NH3气体敏感性能。结果表明,Pt掺杂的SnO2纳米花大小约为2μm,由平均直径为180nm,长度约为500nm的纳米棒组成;掺杂后SnO2的拉曼振动峰有了较大的偏移,并出现了新峰148cm-1,这可能与Pt掺杂造成的晶格畸变有关;由Pt/SnO2纳米材料制得的气敏元件在300℃时对2.00×10-4的NH3的灵敏度可达80。
关键词：Pt掺杂;SnO2;共沉淀法;纳米花;气敏性能;
