InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响

来源期刊：功能材料2015年第23期

论文作者：赵振 周海月 郭祥 罗子江 王继红 王一 魏文喆 丁召

文章页码：23025 - 23030

关键词：分子束外延;液滴刻蚀;台阶;InAs量子点;

摘    要：基于分子束外延(MBE)技术,以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长,在纳米洞位置,洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核,而随着InAs沉积量的增加,这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时,在纳米洞周围会形成尺寸均匀、分布有序且呈环状的量子点结构。