钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理

来源期刊：稀有金属材料与工程2011年第S2期

论文作者：黄攀 王传彬 沈强 张联盟

文章页码：468 - 471

关键词：钛酸铋薄膜;磁控溅射;退火处理;

摘    要：采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。