脉冲激光烧蚀过程中阻尼系数的角度分布

来源期刊：功能材料2011年第S5期

论文作者：王英龙 翟小林 丁学成 王世俊 梁伟华 邓泽超 褚立志 傅广生

文章页码：825 - 1658

关键词：纳米Si晶粒;脉冲激光烧蚀;平均尺寸;阻尼系数;

摘    要：采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅(Si)晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关系。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其表面形貌和结构进行了表征。结果表明,在压强一定的情况下,纳米Si晶粒的尺寸和阻尼系数均相对于轴向呈对称分布,并随着偏离轴向角度的增加而减小;同时随着压强增大,晶粒尺寸和阻尼系数在各个角度处的值均增大。