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稀土离子掺杂AlN薄膜发光材料的研究进展

来源期刊：功能材料2018年第9期

论文作者：陈飞飞王晓丹李祥曾雄辉

文章页码：9056 - 9060

关键词：氮化铝;稀土离子;发光特性;器件;

摘要：纤锌矿结构氮化铝(AlN)是一种典型的直接宽禁带化合物半导体,稀土离子掺入后可作为发光材料应用在显示、照明等众多领域。对稀土掺杂氮化铝薄膜的制备方法,结构损伤、发光特性、器件研究等进行了综述,并着重总结了影响发光性能的因素。最后对该研究方向进行了展望。

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陈飞飞¹，王晓丹¹，李祥¹，曾雄辉²

1. 苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

关键词：氮化铝;稀土离子;发光特性;器件;