高温烧制导电掺锑二氧化锡纳米晶体

梁红波¹，甘复兴¹，张学俊¹

(1.武汉大学资源与环境科学学院,湖北,武汉,430072;
2.中国科学院金属腐蚀与防护国家重点实验室,辽宁,沈阳,110015;
3.贵州工业大学贵州省发酵工程与生物制药重点实验室,贵州,贵阳,550003)

摘要:掺锑SnO2超细粉,特别是纳米晶体,用于透明导电膜和导电涂料具有广泛的应用前景.以SnCl4 *5H2O和SbCl3为原料,提出在有机相中控制pH值沉淀反应合成掺杂氢氧化锡后,结合阴离子交换树脂进行非水相离子交换除氯的方法,制得掺锑均匀的SnO2纳米晶体.运用X射线衍射、透射电镜等手段对其进行了表征,研究了热处理温度和掺锑浓度对粉末颗粒尺寸和电导的影响规律.结果表明,制得掺锑纳米晶体颗粒均匀,分散性好,非水相阴离子交换除氯离子的方法彻底除去了氯离子,提高了沉淀的稳定性,在缩短制备时间和减少溶剂用量的同时,使产物的回收率达到95%以上.

关键词:掺锑纳米SnO2晶体; 阴离子交换树脂; 高温热处理; 非水相共沉淀法;

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