两种g-C₃N₄的异质结的第一性原理计算

赵宇培¹，朱玉俊²，卢运祥³

1. 常州大学石油化工学院江苏省绿色催化材料与技术重点实验室2. 蚌埠学院材料与化学工程学院3. 华东理工大学化学与分子工程学院

摘 要：运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C₃N₄的异质结g-C₃N₄/TiO₂和g-C₃N₄/MoS₂,其带隙分别为1.281和0.344eV,两者的带隙相比单层g-C₃N₄有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成,CBM主要由Ti或Mo3d电子构成,并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离,使得电子空穴复合速度下降,提高了光催化效率。

关键词：g-C3N4;异质结;第一性原理;