浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性

诸葛兰剑¹，吴雪梅¹，严勇健¹

(1.苏州大学;
2.上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室)

摘要:用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.

关键词:无机非金属材料; 多孔层; 光致发光; 纳米硅颗粒; 发光中心;

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