化学溶液沉积制备涂层导体Eu0.3Ce0.7O1.85-x单一缓冲层
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第3期
论文作者：李果 张欣 杨烨 武伟 孙瑞萍 赵勇 蒲明华 王文涛
关键词：Eu掺杂; CeO2单一缓冲层; 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD);
摘 要：采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.
李果1，张欣1，杨烨1，武伟1，孙瑞萍1，赵勇1，蒲明华1，王文涛1
(1.西南交通大学,材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031)
摘要:采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.
关键词:Eu掺杂; CeO2单一缓冲层; 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD);
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