新颖CMOS图像传感器刻蚀工艺进展
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第6期
论文作者：Tao Zhong Ying Huang Chih-Hsun Hsu Scott Williams Benjamin Schwarz
文章页码：312 - 313
摘 要：称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感,且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应。本文中,采用Applied CenturaAdvantEdgeTM MesaTM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺。调整C4F8流量可实现侧壁角的目标剖面。调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小。对于硅损的宏观负载,DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失,有良好的均匀性。
Tao Zhong，Ying Huang，Chih-Hsun Hsu，Scott Williams，Benjamin Schwarz
摘 要：称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感,且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应。本文中,采用Applied CenturaAdvantEdgeTM MesaTM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺。调整C4F8流量可实现侧壁角的目标剖面。调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小。对于硅损的宏观负载,DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失,有良好的均匀性。
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