同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响

赵青南¹，周祥¹，赵修建¹，王鹏¹

(1.武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070)

摘要:室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.

关键词:同质缓冲层; ZnO:Al薄膜; 射频磁控溅射法; 方块电阻; 玻璃基片;

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