硫化温度对CuInS₂薄膜微结构和光学性能的影响

来源期刊：材料导报2011年第2期

论文作者：夏冬林 刘俊 张兴良 赵修建

文章页码：7 - 28

关键词：磁控溅射;CuInS2薄膜;硫化;微观结构;光学带隙;

摘    要：采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）、紫外-可见光谱（UV-Vis）等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有（112）面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。