双氯芬酸钠在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其应用
来源期刊:分析试验室2007年第7期
论文作者:瞿万云 刘应煊 冯辉
文章页码:38 - 41
关键词:碳纳米管;双氯芬酸钠;修饰电极;测定;
摘 要:应用循环伏安法和线性扫描伏安法研究了双氯芬酸钠在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,建立了一种直接测定双氯芬酸钠的电分析方法。在0.1 mol/L HClO4溶液中,双氯芬酸钠的氧化峰电位在0.38 V(vsAg/AgCl),峰电流与浓度在2.0×10-7mol/L7.0×10-6mol/L范围内呈线性关系,开路富集3 min后检出限为9.0×10-8mol/L。5×10-6mol/L双氯芬酸钠溶液平行测定10次的相对标准偏差(RSD)为4.5%。已用于扶他林片剂中双氯芬酸钠的测定。
瞿万云,刘应煊,冯辉
摘 要:应用循环伏安法和线性扫描伏安法研究了双氯芬酸钠在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,建立了一种直接测定双氯芬酸钠的电分析方法。在0.1 mol/L HClO4溶液中,双氯芬酸钠的氧化峰电位在0.38 V(vsAg/AgCl),峰电流与浓度在2.0×10-7mol/L7.0×10-6mol/L范围内呈线性关系,开路富集3 min后检出限为9.0×10-8mol/L。5×10-6mol/L双氯芬酸钠溶液平行测定10次的相对标准偏差(RSD)为4.5%。已用于扶他林片剂中双氯芬酸钠的测定。
关键词:碳纳米管;双氯芬酸钠;修饰电极;测定;