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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期

论文作者：王曦薄报学魏星乔忠良张苗陈静

关键词：湿法刻蚀; 脉冲阳极氧化; 斜率效率;

摘要：研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

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王曦¹，薄报学²，魏星³，乔忠良²，张苗¹，陈静¹

(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;
2.长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;
3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;
4.中国科学院研究生院,北京,100039)

摘要:研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

关键词:湿法刻蚀; 脉冲阳极氧化; 斜率效率;

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