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TiA1双层辉光离子渗Cr的工艺研究

来源期刊:宇航材料工艺2002年第2期

论文作者:董建新 贺志勇 徐重 谢锡善 郑传林

关键词:TiAl金属间化合物; 辉光放电; 离子渗Cr; 工艺参数;

摘    要:利用双层辉光离子渗金属技术(DGPSAT)对 TiAl金属间化合物进行渗Cr处理.研究了主要工艺参数对渗层表面合金含量CA和渗层厚度δ这两个目标函数的影响.结果表明,表面合金含量CA和渗层厚度δ随源极电压Vs、有效功率密度比κ的增加而增加;随阴极电压Vc的增加而减少.气压存在一个峰值,太高或太低都不利.工艺参数的最佳值:源极电压Vs为1 200 V~1 300 V,阴极电压为200 V~300 V,有效功率密度比κ为4~5,气压为25 Pa~30 Pa.

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TiA1双层辉光离子渗Cr的工艺研究

董建新1,贺志勇2,徐重2,谢锡善1,郑传林1

(1.北京科技大学材料学院高温合金室,北京,100083;
2.太原理工大学表面工程研究所,太原,030024)

摘要:利用双层辉光离子渗金属技术(DGPSAT)对 TiAl金属间化合物进行渗Cr处理.研究了主要工艺参数对渗层表面合金含量CA和渗层厚度δ这两个目标函数的影响.结果表明,表面合金含量CA和渗层厚度δ随源极电压Vs、有效功率密度比κ的增加而增加;随阴极电压Vc的增加而减少.气压存在一个峰值,太高或太低都不利.工艺参数的最佳值:源极电压Vs为1 200 V~1 300 V,阴极电压为200 V~300 V,有效功率密度比κ为4~5,气压为25 Pa~30 Pa.

关键词:TiAl金属间化合物; 辉光放电; 离子渗Cr; 工艺参数;

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