TaC陶瓷的强化烧结

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2007年第2期

论文作者：曾玉林 熊翔 李国栋 陈招科

文章页码：106 - 111

关键词：TaC;强化烧结;多孔陶瓷;显微结构;自蔓延反应;

摘    要：为探索开发低成本TaC陶瓷强化烧结制备工艺,以C、Ta和TaC粉末为原料,经成形、常压烧结制备出TaC陶瓷。结果表明:以C与Ta单质粉末为原料反应烧结时,发生自蔓延反应,产物疏松多孔,不能获得致密TaC陶瓷;纯TaC粉末在2 100℃烧结时为多孔烧结体,相对密度约为78%,孔隙大、量多且相互连通;采用添加少量C与Ta粉末强化烧结TaC坯体时,在2 100～2 300℃可以制备相对密度为91%以上的TaC无裂纹陶瓷;随强化烧结温度提高以及C、Ta粉末添加量的增加,陶瓷晶粒变粗,致密度提高。讨论了添加少量C与Ta粉末在TaC陶瓷烧结过程中的强化烧结机理。