KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第4期
论文作者：张进城 高志远 郝跃 倪金玉 张金凤
关键词：位错密度; GaN; 腐蚀坑密度; 腐蚀机制; dislocation density; GaN; EPD; etching mechanism;
摘 要：实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.
张进城1，高志远1，郝跃1，倪金玉1，张金凤1
(1.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,微电子学院,西安电子科技大学,西安,710071)
摘要:实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.
关键词:位错密度; GaN; 腐蚀坑密度; 腐蚀机制; dislocation density; GaN; EPD; etching mechanism;
【全文内容正在添加中】
