基片表面粗糙度对坡莫合金AMR以及磁性能的影响
来源期刊:功能材料2015年第14期
论文作者:余涛 彭斌 王秋入 王鹏
文章页码:14067 - 14070
关键词:Ni 80Fe 20薄膜;表面粗糙度;各向异性磁阻效应;
摘 要:利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。
余涛,彭斌,王秋入,王鹏
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
摘 要:利用霍尔离子源轰击Si基片获得了不同表面粗糙度的基片,然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5nm)/Ni 80Fe 20(12nm)/Ta(2nm)薄膜样品,重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用AFM测量基片的表面粗糙度,采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明,随着基片表面粗糙度的增加,坡莫合金的AMR值显著降低,且ΔH显著增加。
关键词:Ni 80Fe 20薄膜;表面粗糙度;各向异性磁阻效应;