用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能

来源期刊：材料研究学报2019年第6期

论文作者：张栋 柯培玲 汪爱英

文章页码：467 - 474

关键词：材料表面与界面;氧化硅薄膜;等离子体增强化学气相沉积;功能装饰;

摘    要：用PECVD技术制备氧化硅薄膜,研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响,探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。结果表明,在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构,在380～780 nm波长范围内透光率高达90%～98%,但是薄膜的结构疏松,硬度仅为2 GPa。提高制备温度可使薄膜硬度提高至6 GPa,但是透光率略有降低;在阴极位置生成的薄膜具有无机氧化硅复合非晶碳结构,薄膜结构致密,硬度可达15 GPa,但是在380～780 nm波长范围内透光性差;增加O2反应气体可促使碳与氧反应生成二氧化碳,非晶碳结构消失,薄膜透光率提高到99%,但是硬度降低到9 GPa。