Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算

来源期刊：材料科学与工程学报2015年第3期

论文作者：李文明 吴一 刘晨吉 郑树凯 闫小兵

文章页码：405 - 856

关键词：ZnTe;共掺杂;密度泛函理论;

摘    要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。