图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
来源期刊：功能材料2010年第7期
论文作者：张波 陈静 魏星 武爱民 薛忠营 罗杰馨 王曦 张苗
文章页码：1208 - 1210
关键词：氮化镓;绝缘体上硅;侧向外延;
摘 要：采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅（SOI:silicon-on-insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。
张波1,2，陈静1，魏星1,2，武爱民1，薛忠营1,2，罗杰馨1,2，王曦1,2，张苗1
1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室2. 中国科学院研究生院
摘 要：采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅（SOI:silicon-on-insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。
关键词：氮化镓;绝缘体上硅;侧向外延;
