Ge基GaAs薄膜和InAs量子点MBE生长研究
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第2期
论文作者：高晓强 王凯 邓闯 贺端威
文章页码：54 - 58
关键词：分子束外延;迁移增强外延;InAs量子点;
摘 要：采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。
高晓强1,2，王凯2，邓闯2，贺端威1
1. 四川大学原子与分子物理研究所&物理科学与技术学院2. 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
摘 要：采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏<111>方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜。通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平。
关键词：分子束外延;迁移增强外延;InAs量子点;
