内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究

李越强¹，刘雯¹，王晓东¹，陈燕凌¹，杨富华¹，曾一平²

1. 中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

摘 要：研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响。在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象。这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释。这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器。

关键词：InAs量子点;场效应晶体管;悬浮栅;负微分电导;