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旋转CVI制备C/SiC复合材料

来源期刊:无机材料学报2000年第5期

论文作者:成来飞 张立同 徐永东 肖鹏

关键词:旋转CVI; C/SiC复合材料; 沉积速度; 基体结构; rotating-CVI; C/SiC composites; deposition rate; matrix structure;

摘    要:旋转CVI是在CVI原理基础上发展的一种制备C/SiC复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转, 使预制体的制备与基体的沉积同步进行, 能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应. 在自制的旋转CVI设备上实验, 探索了旋转CVI工艺参数中CH3SiCl3(MTS)的流量与浓度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度,以及沉积温度对基体结构的影响.并在低压(5kPa)、高温(1100C)?、400 mL-1 H2、200 mL-1Ar、MTS40C 与C布以1.13.5mm-1的线速度连续旋转的沉积条件下,实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及C布层间宏观孔隙的致?密化同步完成.

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旋转CVI制备C/SiC复合材料

成来飞1,张立同1,徐永东1,肖鹏1

(1.西北工业大学凝固技术国家重点实验室, 西安 710072)

摘要:旋转CVI是在CVI原理基础上发展的一种制备C/SiC复合材料的新工艺,通过石墨衬底的旋转, 使预制体的制备与基体的沉积同步进行, 能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应. 在自制的旋转CVI设备上实验, 探索了旋转CVI工艺参数中CH3SiCl3(MTS)的流量与浓度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度,以及沉积温度对基体结构的影响.并在低压(5kPa)、高温(1100C)?、400 mL-1 H2、200 mL-1Ar、MTS40C 与C布以1.13.5mm-1的线速度连续旋转的沉积条件下,实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及C布层间宏观孔隙的致?密化同步完成.

关键词:旋转CVI; C/SiC复合材料; 沉积速度; 基体结构; rotating-CVI; C/SiC composites; deposition rate; matrix structure;

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