面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展

王维^1,2，叶小球²，陈长安²，李强²，金伟²，杨勇彬²，高涛¹

1. 四川大学原子与分子物理研究所2. 表面物理与化学重点实验室

摘 要：作为面向等离子体材料,钨（W）在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘（D）、氚（T）、氦（He）等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响。W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一。综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理。通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能。深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑。

关键词：钨;氘;氦;滞留;起泡;