1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长
来源期刊：材料科学与工程学报2014年第6期
论文作者：魏全香 王鹏飞 任正伟 贺振宏
文章页码：816 - 820
关键词：异变;InAs量子点;分子束外延;发光波长;
摘 要：1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。
魏全香1，王鹏飞2，任正伟2，贺振宏2
1. 山西大学物理电子工程学院2. 中国科学院半导体研究所
摘 要：1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。
关键词：异变;InAs量子点;分子束外延;发光波长;
