溅射功率和退火温度对GeSbTe相变薄膜内应力的影响

来源期刊：材料科学与工艺2012年第2期

论文作者：付永忠 程广贵 王权

文章页码：145 - 148

关键词：金属材料;GeSbTe薄膜;内应力;溅射功率;退火温度;高密度数据存储;

摘    要：通过磁控溅射方法制备了GeSbTe薄膜.借助原子力显微镜,X射线衍射仪和应力测试仪等仪器,并结合对薄膜表面形貌和晶体结构的分析,研究了溅射功率和退火温度对薄膜内应力的影响.结果表明:当溅射功率较小时,内应力随着溅射功率的增大而增大,在50W左右时达到最大值,随后又随着溅射功率的增大而减小.退火温度为160℃时,薄膜发生非晶态向fcc晶态结构的相变,由于Te原子析出到晶粒边界,导致薄膜的内应力急剧增大到最大值为100MPa左右,而后随着退火温度的升高而下降,fcc结构向hex结构转变时,内应力变化并不明显.