氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响

来源期刊：材料保护2013年第S2期

论文作者：吴勐 蒋洪川 陈寅之 赵文雅 蒋书文 刘兴钊 张万里

文章页码：43 - 45

关键词：射频磁控溅射;ITO薄膜;电阻率;载流子浓度;迁移率;

摘    要：采用射频磁控溅射制备氧化铟锡[ITO,In2O3∶SnO2=90∶10(质量比)]薄膜,讨论了溅射气氛中的氧氩体积百分对ITO薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明:随着氧氩体积百分比的增大,ITO薄膜XRD谱中的(222)面峰强由弱到强变化,当氧氩体积百分比达到3%,4%时,ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面;随着氧氩体积百分比的增大,薄膜的电阻率显著增大,而沉积速率、载流子浓度和迁移率都降低。