简介概要

CMOS器件用金属栅材料的研究进展

来源期刊：金属功能材料2008年第3期

论文作者：符春林邓小玲程文德蔡苇

关键词：金属栅; 综述; 多晶硅; 性能;

摘要：传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.

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符春林¹，邓小玲¹，程文德¹，蔡苇¹

(1.重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆,401331;
2.重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044)

摘要:传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.

关键词:金属栅; 综述; 多晶硅; 性能;

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