SiO2-WO3纳米粉体的合成及其气敏特性
来源期刊：无机材料学报2003年第4期
论文作者：牛新书 魏少红 蒋凯 许亚杰
关键词：三氧化钨; 气敏材料; 化学沉淀法; 硫化氢;
摘 要：采用化学沉淀法制备了xwt%SiO2-WO3(x＝0,3,5,10,15)粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,探讨了掺杂量、元件工作温度与WO3气敏性能的关系.研究发现:SiO2的掺杂提高了WO2粉体材料对H2S气体的灵敏度,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性;本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨.
牛新书1，魏少红2，蒋凯1，许亚杰1
(1.河南师范大学化学与环境科学学院,河南省高等学校环境科学与工程重点学科开放实验室,新乡,453002;
2.安阳师范学院化学系,安阳,455000)
摘要:采用化学沉淀法制备了xwt%SiO2-WO3(x＝0,3,5,10,15)粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,探讨了掺杂量、元件工作温度与WO3气敏性能的关系.研究发现:SiO2的掺杂提高了WO2粉体材料对H2S气体的灵敏度,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性;本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨.
关键词:三氧化钨; 气敏材料; 化学沉淀法; 硫化氢;
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