ZnO基稀磁半导体材料研究进展
来源期刊：材料导报2007年第12期
论文作者：沈益斌 令狐荣锋 段满益 徐明 周勋
关键词：ZnO; 稀磁半导体; 铁磁序; 反铁磁序; 电子结构;
摘 要：随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光.传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能.从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度.
沈益斌1，令狐荣锋1，段满益2，徐明1，周勋3
(1.贵州师范大学理学院,贵阳,550001;
2.四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所,成都,610068;
3.贵州大学电信学院,贵阳,550025)
摘要:随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光.传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能.从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度.
关键词:ZnO; 稀磁半导体; 铁磁序; 反铁磁序; 电子结构;
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