MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展
来源期刊：材料导报2004年第8期
论文作者：赵浙 叶志镇
关键词：GaN薄膜; p型掺杂; 综述; 自补偿模型; 共掺杂工艺;
摘 要：p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.
赵浙1，叶志镇1
(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.
关键词:GaN薄膜; p型掺杂; 综述; 自补偿模型; 共掺杂工艺;
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