β-Ga2O3掺Al的电子结构与能带特性研究
来源期刊：功能材料2014年第12期
论文作者：郑树文 范广涵 皮辉
文章页码：12102 - 12107
关键词：第一性原理;β-Ga2O3;Al掺杂;电子结构;能带特性;
摘 要：采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3（x=0,0.5,1,1.5,2）合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV（直接）和0.373eV（间接）。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
郑树文，范广涵，皮辉
华南师范大学光电子材料与技术研究所,微纳光子功能材料与器件重点实验室
摘 要：采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3（x=0,0.5,1,1.5,2）合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV（直接）和0.373eV（间接）。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
关键词：第一性原理;β-Ga2O3;Al掺杂;电子结构;能带特性;
