熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料工艺参数研究

来源期刊：材料导报2015年第S1期

论文作者：张波 李瑞珍 解惠贞

文章页码：389 - 788

关键词：C/C-SiC复合材料;熔融渗硅;C/C多孔体;反应温度;

摘    要：以针刺网胎无纬布为预制体,采用化学气相沉积（CVD）和树脂浸渍/炭化（IC）制成不同密度的炭/炭（C/C）多孔体,然后在温度为1650℃、1800℃时进行熔融渗硅（LSI）制备C/C-SiC复合材料。采用金相显微镜观察材料渗硅前后形貌,并结合熔融渗硅机理进行分析;研究多孔体密度、反应温度等因素对熔渗效果的影响。结果表明,低密度的C/C多孔体开孔率高,比表面积大,液态Si易于渗入,生成更多SiC,致密效率高;1800℃时进行熔融渗硅效果更好,所得材料的弯曲强度最高可达225 MPa。