金刚石半导体研究进展
来源期刊:材料导报2010年第7期
论文作者:满卫东 刘长林 翁俊 汪建华 熊礼威
关键词:金刚石; 半导体; 掺杂; diamond; semiconductor; doping;
摘 要:金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景.通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势.详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用.
满卫东1,刘长林1,翁俊1,汪建华2,熊礼威2
(1.武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;
2.中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031;
3.武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073)
摘要:金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景.通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势.详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用.
关键词:金刚石; 半导体; 掺杂; diamond; semiconductor; doping;
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