不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究

来源期刊：兵器材料科学与工程2010年第4期

论文作者：李阳

文章页码：4 - 7

关键词：薄膜晶体管;多晶硅薄膜有源层;电学特性;

摘    要：多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）因较非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFT）相比具有更高的场效应迁移率而成为目前显示界研究的热点。在制备多晶硅薄膜及其TFT器件的过程中,发现不同厚度的多晶硅薄膜具有不同的电学特性。经分析,不同厚度的多晶硅薄膜有源层TFT器件也势必表现出不同的器件电学特性。为此,制备3种多晶硅薄膜有源层厚度的TFT器件,比较且优化器件的各种电学特性—场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比等,最后确定TFT器件有源层的最佳厚度。