化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究
来源期刊:稀有金属材料与工程2017年第9期
论文作者:吕延伟
文章页码:2499 - 2504
关键词:钨;化学气相沉积;生长习性;表面粗糙度;
摘 要:本研究结合CVD(chemical vapor deposition,CVD)-W材料实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W晶体生长习性,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD-W材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。
吕延伟
国家钨材料工程技术研究中心厦门钨业股份有限公司
摘 要:本研究结合CVD(chemical vapor deposition,CVD)-W材料实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W晶体生长习性,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD-W材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。
关键词:钨;化学气相沉积;生长习性;表面粗糙度;