乙醇钽化学气相沉积制备Ta2O5薄膜研究进展
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第12期
论文作者：刘银元 唐谟堂 邱冠周 杨声海
关键词：乙醇钽; 氧化钽薄膜; 化学气相沉积;
摘 要：Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性,因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用.对以Ta(OC2H5)5为原料,通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制各Ta2O5薄膜进行了评述,并对这些方法存在的问题进行了分析.
刘银元1，唐谟堂1，邱冠周1，杨声海1
(1.中南大学,湖南长沙,410083)
摘要:Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性,因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用.对以Ta(OC2H5)5为原料,通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制各Ta2O5薄膜进行了评述,并对这些方法存在的问题进行了分析.
关键词:乙醇钽; 氧化钽薄膜; 化学气相沉积;
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