AlN基稀磁半导体的研究进展
来源期刊：材料导报2010年第S1期
论文作者：王腊节 聂招秀
文章页码：304 - 635
关键词：AlN;稀磁半导体;居里温度;掺杂;过渡元素;
摘 要：主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向。
王腊节1，聂招秀2
1. 南昌大学共青学院工程技术系2. 重庆大学数理学院
摘 要：主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向。
关键词：AlN;稀磁半导体;居里温度;掺杂;过渡元素;
