N扩散对熔液法生长GaN晶体外延速率的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2013年第2期
论文作者：王斌 赵志德 隋妍萍 徐伟 于广辉
文章页码：59 - 62
关键词：氮化镓;液相外延;XRD;
摘 要：使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。
王斌，赵志德，隋妍萍，徐伟，于广辉
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室
摘 要：使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。
关键词：氮化镓;液相外延;XRD;
