质子辐照Kapton/Al的蒙特卡罗模拟
来源期刊：宇航材料工艺2007年第3期
论文作者：杨德庄 李瑞琦 何世禹 李春东
关键词：质子辐照; Kapton/Al; 蒙特卡罗; 能量损失; 射程;
摘 要：采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布.模拟结果表明:入射能量在10～300 keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80 keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用.
杨德庄1，李瑞琦1，何世禹1，李春东1
(1.哈尔滨工业大学空间材料与环境工程重点实验室,哈尔滨,150001)
摘要:采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布.模拟结果表明:入射能量在10～300 keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80 keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用.
关键词:质子辐照; Kapton/Al; 蒙特卡罗; 能量损失; 射程;
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