热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

贺德衍¹，谢二庆¹，刘小平²，邵乐喜²，陈光华³

(1.兰州大学物理科学与技术学院;
2.湛江师范学院物理系;
3.北京工业大学材料科学与工程学院)

摘要:以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.

关键词:AlN薄膜; 场电子发射; 热退火; 滞后;

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