退火对溶胶-凝胶法CoFe_2O_4薄膜结构与磁性的影响
来源期刊：磁性材料及器件2009年第6期
论文作者：张亚磊 解群眺 杨成韬
关键词：CoFe_2O_4薄膜; 溶胶-凝胶法; 结构; 磁性; 成分; CoFe_2O_4 thin films; sol-gel method; microstructure; magnetic properties; component;
摘 要：采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe_2O_4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析.结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相.随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大.650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降.EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小.
张亚磊1，解群眺1，杨成韬1
(1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054)
摘要:采用溶胶-凝胶法在Si(001)基片上制备了CoFe_2O_4(CFO)薄膜,对样品进行不同温度的快速退火处理,并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)对薄膜进行微结构与磁性能分析.结果表明,薄膜退火温度在450℃及以上时生成无择尤取向的单一尖晶石相.随着退火温度上升,薄膜的晶化程度增高,Ms增大.650℃左右退火薄膜晶粒达到单畴临界尺寸,导致Hc随着退火温度的继续上升而逐渐下降.EDS分析表明,成膜后的化学计量比偏移很小.
关键词:CoFe_2O_4薄膜; 溶胶-凝胶法; 结构; 磁性; 成分; CoFe_2O_4 thin films; sol-gel method; microstructure; magnetic properties; component;
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