原位合成MoSi2/SiC复合材料的组织缺陷
来源期刊：工程科学学报2001年第3期
论文作者：傅晓伟 杨王玥 张来启 孙祖庆 朱静
文章页码：249 - 252
关键词：MoSi-SiC复合材料;原位合成;界面;位错;层错;孪晶;
摘 要：ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错．纳米力学探针分析表明，ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面附近存在明显的硬度梯度，在材料制备冷却 过程中，因ＭｏＳｉ２基体与ＳｉＣ颗粒之间的热膨胀系数（ＣＴＥ）的差别而导致的其中的残余热应力 是造成上述组织特征的原因．
傅晓伟，杨王玥，张来启，孙祖庆，朱静
摘 要：ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错．纳米力学探针分析表明，ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面附近存在明显的硬度梯度，在材料制备冷却 过程中，因ＭｏＳｉ２基体与ＳｉＣ颗粒之间的热膨胀系数（ＣＴＥ）的差别而导致的其中的残余热应力 是造成上述组织特征的原因．
关键词：MoSi-SiC复合材料;原位合成;界面;位错;层错;孪晶;
