Al掺杂纤锌矿ZnO的电子结构研究
来源期刊：材料导报2008年第12期
论文作者：阮进 陈敬超 冯晶 杜晔平
关键词：半导体; ZnO; 掺杂; 第一原理计算;
摘 要：采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,电子交换关联能结合广义梯度近似(GGA)PW91形式,对Al原子不同掺杂位置的ZnO超原胞进行了几何优化,计算分析了晶体结构参数及掺杂模型的电子结构.结果表明,几何优化后掺杂晶胞z轴方向出现收缩现象,两种模型在杂质掺入后半导体ZnO导电能力提高,形成置换杂质模型的可能性要大于间隙杂质模型,掺杂Al和基体ZnO的原子数配比直接影响导电性能,最后给出了电子轨道跃迁规律.
阮进1，陈敬超1，冯晶1，杜晔平1
(1.昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明,650093)
摘要:采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,电子交换关联能结合广义梯度近似(GGA)PW91形式,对Al原子不同掺杂位置的ZnO超原胞进行了几何优化,计算分析了晶体结构参数及掺杂模型的电子结构.结果表明,几何优化后掺杂晶胞z轴方向出现收缩现象,两种模型在杂质掺入后半导体ZnO导电能力提高,形成置换杂质模型的可能性要大于间隙杂质模型,掺杂Al和基体ZnO的原子数配比直接影响导电性能,最后给出了电子轨道跃迁规律.
关键词:半导体; ZnO; 掺杂; 第一原理计算;
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