InAs自组织量子点(线)的制备和表征
来源期刊：材料研究学报2002年第5期
论文作者：贾锐 李月法 武光明
关键词：分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 InAs自组织量子点(线) InAlAs覆盖层;
摘 要：在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.
贾锐1，李月法2，武光明3
(1.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;
2.中国科学院半导体研究所;
3.北京石油化工学院)
摘要:在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.
关键词:分子束外延生长 Stranski-krastanow模式 InAs自组织量子点(线) InAlAs覆盖层;
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