单晶黑硅微结构对其反射率影响的研究

岳之浩^1,2，沈鸿烈^1,3，蒋晔¹，陈伟龙¹，唐群涛¹

1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院3. 南京航空航天大学纳米智能材料器件教育部重点实验室

摘 要：采用Ag辅助化学腐蚀法在不同H2O2浓度、腐蚀温度和腐蚀时间条件下制备了单晶黑硅微结构,并系统地研究了这种微结构对表面反射率的影响规律。采用场发射扫描电子显微镜对样品形貌进行了观察,并利用分光光度计对样品的表面反射率进行了测试,最终采用陷光模型对黑硅微结构与其反射率的关系进行了深入分析。发现当腐蚀液为7.8mol/L HF和0.6mol/L H2O2混合液、腐蚀温度为20℃以及腐蚀时间为90s时,所制备黑硅的腐蚀深度为900nm,其表面平均反射率为0.98%(400~900nm)。

关键词：Ag辅助化学腐蚀法;单晶硅;微结构;反射率;