PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响

于方丽^1,2，白宇²，秦毅²，岳冬²，罗才军²，杨建锋²

1. 盐城工学院材料工程学院2. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室

摘 要：在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)及扫描电子显微镜(SEM)研究基底温度对SiC薄膜成分、结构及生长速度的影响规律。结果表明:在60~500℃基底温度下制备的SiC薄膜均为非晶态薄膜,薄膜的生长速度随基底温度的升高而线性降低,并且在相同沉积条件下,薄膜在Si基底上的生长速度要高于Cu基底。此外,薄膜中的硅碳原子比随基底温度的升高而降低,当基底温度控制在350℃左右时,可以获得硅碳比为1:1较理想的SiC薄膜。

关键词：碳化硅;等离子体增强化学气相沉积;非晶态薄膜;生长速度;基底温度;