氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展
来源期刊：稀有金属1998年第2期
论文作者：孙晋伟 邱向东 赵谢群 张燕红
关键词：GaN; 薄膜; 外延生长; 活化氮源;
摘 要：综述了高质量GaN薄膜材料生长工艺的最新进展,着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用.
孙晋伟1，邱向东2，赵谢群2，张燕红2
(1.北京科技大学;
2.北京有色金属研究总院,北京100088)
摘要:综述了高质量GaN薄膜材料生长工艺的最新进展,着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用.
关键词:GaN; 薄膜; 外延生长; 活化氮源;
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